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装置例
装置例
装置例
スパッタガン/標準型
スパッタガン/横型
  • 概要

    φ1”、2”ターゲットのマグネトロンスパッタガンを一基から複数基搭載するスパッタリング薄膜装置を製作する事が可能です。

    コンタミネーションシールドを搭載し隣接したスパッタガンからの堆積物がない構造となっています。

  • 特長

    • 首下寸法の変更が可能
    • 強磁性体ターゲットにも対応(φ2”のみ)
  • 仕様

    型式 SPG-1 SPG-2
    全長(大気側+本体部) 280(200+80)mm 360(250+110)mm
    外形 φ36 φ70
    取付フランジ(シャッタ無) ICF70 ICF114
    (シャッタ有) ICF114 ICF152
    ターゲットサイズ φ29×3 φ50.8×3 or 50
    動作仕様
    DC投入パワー 5~100W 10~300W
    RF投入パワー 5~50W 10~150W
    カソード電圧 200~600V 200~600V
    放電電流(最大) 0.2A 0.8A
    動作圧力 0.3~13Pa 0.3~13Pa
    冷却水 流量 1L/min以上 2L/min以上
    スパッタ性能
    ターゲット基板間距離 60mm 90mm
    レート 13nm/min 2.2nm/min
    分布 ±5% ±4.5%
    成膜条件 Alターゲット t3 DC:20W 0.8Pa SiO2ターゲット 3t RF:80W 0.8Pa

    ※複数個のスパッタガンを配置した場合のスパッタ性能は異なる値となります

    ※本ページに記載された内容は予告なく変更する場合がありますのでご了承ください

  • 用途例

    • 多連スパッタ装置(スパッタガンが真空内で旋回し、平行平板型成膜が可能)
  • 導入実績

    • 成蹊大学など各大学
    • 総合電機メーカー
    • 大手化学メーカー
  • オプション

    • 基板加熱機構:SiCヒータ、ブロックヒータ、ランプなど多様な加熱機構に対応いたします
    • スパッタガス:圧コントロール、ガス混合に対応いたします
    • オリジナルなスパッタ装置を製作することも可能です
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