半導体積層薄膜形成装置

取引先

エア・ウォーター株式会社様

納入先

国立研究開発法人　産業技術総合研究所様

仕様

・成膜室２チャンバー
・ロードロック室
・CVD装置
・成膜チャンバー到達真空度5.0×10E-8Pa
・プロセスガス導入
・1000℃加熱

・基板4インチ～8インチ対応